گھٽ درجه حرارت وارو مرحلو بيريم ميٽابوريٽ (β-BaB₂O₄، BBO مختصر لاءِ) ڪرسٽل جو تعلق ٽن طرفي ڪرسٽل سسٽم سان آهي، 3m پوائنٽ گروپ. 1949 ع ۾، Levin۽ ٻيا. دريافت ڪيو گھٽ درجه حرارت وارو مرحلو بيريم ميٽابورٽ BaB₂O₄ مرڪب 1968 ع ۾، Brixner۽ ٻيا. BaCl استعمال ڪيو₂ جيئن شفاف سُئي جهڙو واحد ڪرسٽل حاصل ڪرڻ لاءِ وهڪري. 1969 ۾، هبنر لي استعمال ڪيو₂O جيئن 0.5mm × 0.5mm × 0.5mm وڌڻ لاءِ فلڪس ۽ ماپ ڪيو بنيادي ڊيٽا جي کثافت، سيل پيرا ميٽرز ۽ خلائي گروپ. 1982ع کان پوءِ، فوجيان انسٽيٽيوٽ آف ميٽر اسٽرڪچر، چائنيز اڪيڊمي آف سائنسز وڏي سنگل کرسٽل کي فلڪس ۾ وڌائڻ لاءِ پگھليل لوڻ واري ٻج-ڪرسٽل جو طريقو استعمال ڪيو، ۽ ڏٺائين ته بي بي او ڪرسٽل هڪ بهترين الٽراوائلٽ فريڪوئنسي ڊبل ڪرڻ وارو مواد آهي. Electro-optic Q-switching application لاءِ، BBO ڪرسٽل ۾ گھٽ اليڪٽرڪ آپٽڪ ڪوئفيشيٽ جو نقصان آھي جيڪو ھاءِ اڌ موج وولٹیج ڏانھن وٺي ٿو، پر ان ۾ تمام گھڻي ليزر نقصان واري حد جو شاندار فائدو آھي.

فوجيان انسٽيٽيوٽ آف ميٽر اسٽرڪچر، چيني اڪيڊمي آف سائنسز بي بي او ڪرسٽل جي واڌ تي ڪم جو هڪ سلسلو جاري ڪيو آهي. 1985 ۾، هڪ واحد ڪرسٽل φ67mm × 14mm جي ماپ سان وڌايو ويو. ڪرسٽل جي ماپ 1986 ۾ φ76mm × 15mm ۽ 1988 ۾ φ120mm × 23mm تائين پهچي وئي.

سڀ کان مٿي ڪرسٽل جي واڌ ويجهه ۾ پگھريل-لوڻ واري ٻج-ڪرسٽل طريقو (جنهن کي مٿي-سيڊ-ڪرسٽل طريقو، فلڪس-اٿڻ جو طريقو، وغيره به سڏيو ويندو آهي). ۾ ڪرسٽل جي واڌ جي شرحc-axis جي طرف سست آهي، ۽ اعلي معيار جي ڊگهي ڪرسٽل حاصل ڪرڻ ڏکيو آهي. ان کان علاوه، BBO کرسٽل جو اليڪٽررو-آپٽڪ ڪوئفينٽ نسبتا ننڍڙو آهي، ۽ مختصر ڪرسٽل جو مطلب آهي اعلي ڪم ڪندڙ وولٹیج جي ضرورت آهي. 1995 ۾، Goodno۽ ٻيا. Nd: YLF ليزر جي EO Q-modulation لاءِ BBO اليڪٽررو آپٽڪ مواد طور استعمال ڪيو. هن BBO ڪرسٽل جي ماپ 3mm × 3mm × 15mm (x, y, z)، ۽ ٽرانسورس ماڊل کي منظور ڪيو ويو. جيتوڻيڪ هن BBO جي ڊيگهه-اوچائي جو تناسب 5:1 تائين پهچي ٿو، ٽه ماهي وولٽيج اڃا تائين 4.6 kV تائين آهي، جيڪو ساڳئي حالتن هيٺ LN ڪرسٽل جي EO Q-modulation جو 5 ڀيرا آهي.

آپريٽنگ وولٹیج کي گھٽائڻ لاءِ، BBO EO Q-switch استعمال ڪري ٿو ٻه يا ٽي ڪرسٽل گڏجي، جنهن ۾ اضافو نقصان ۽ قيمت وڌائي ٿي. نڪتل۽ ٻيا. بي بي او ڪرسٽل جي اڌ موج جي وولٽيج کي گھٽائي ڪيترن ئي ڀيرا ڪرسٽل مان لائيٽ پاس ڪري. جيئن ته شڪل ۾ ڏيکاريل آهي، ليزر شعاع ڪرسٽل مان چار دفعا گذري ٿو، ۽ 45° تي رکيل اعليٰ عڪاسي واري آئيني جي ڪري مرحلي ۾ دير جو معاوضو آپٽيڪل رستي ۾ رکيل موج پليٽ ذريعي پورو ڪيو ويو. هن طريقي سان، هن BBO Q-سوئچ جي اڌ-موج وولٽيج 3.6 kV کان گهٽ ٿي سگهي ٿي.

شڪل 1. BBO EO Q-ماڊوليشن گھٽ اڌ-موج وولٽيج سان - WISOPTIC

2011 ع ۾ Perlov ۽ ٻيا. 50mm جي ڊيگهه سان BBO کرسٽل وڌائڻ لاءِ NaF فلڪس طور استعمال ڪيوc-محور هدايت، ۽ BBO EO ڊيوائس حاصل ڪئي 5mm × 5mm × 40mm جي ماپ سان، ۽ نظرياتي يونيفارم 1 × 10 کان بهتر^-6 سي ايم^-1، جيڪو EO Q-switching ايپليڪيشنن جي ضرورتن کي پورو ڪري ٿو. بهرحال، هن طريقي جي ترقي چڪر 2 مهينن کان وڌيڪ آهي، ۽ قيمت اڃا به وڌيڪ آهي.

هن وقت، بي بي او ڪرسٽل جو گهٽ اثرائتو EO ڪوئفينٽ ۽ وڏي سائيز ۽ اعليٰ معيار سان بي بي او کي وڌائڻ ۾ مشڪل اڃا تائين بي بي او جي اي او ق-سوئچنگ ايپليڪيشن کي محدود ڪري ٿي. جڏهن ته، اعلي ليزر نقصان جي حد ۽ اعلي ورجائي تعدد تي ڪم ڪرڻ جي صلاحيت جي ڪري، بي بي او ڪرسٽل اڃا تائين هڪ قسم جو EO Q-modulation مواد آهي اهم قيمت ۽ مستقبل جي اميد رکندڙ.

شڪل 2. BBO EO Q-Switch with low half-wave voltage - Made by WISOPTIC Technology Co., Ltd.